LED面板量測
突破傳統量測限制，全面掌握光譜與均勻度
在現代光電產業中，μLED (Micro LED) 技術的應用越來越廣泛，然而，傳統的單點式分光輝度量測或影像式 3 刺激值輝度量測方法，僅能測量多點或純影像的灰度值，無法針對 μLED 的光譜特性與均勻度 進行完整分析。這對於 μLED 產業來說，是一個關鍵挑戰。
高光譜相機具備 3D 光譜數據的特性，可同時量測峰波長、色差、輝度等關鍵指標，並透過光譜分析精準掌握 μLED 均勻度分佈。此外，高光譜技術能夠適應多點到全面性均勻度的各種量測需求，並可透過不同鏡頭與光學配置，實現針對單顆 μLED 的精準測量。
精確量測 μLED 各項關鍵指標，優化製程開發
該系統採用 x20 物鏡，可放大檢視 手機面板 μLED 陣列中的單顆 LED，並進行以下量測：
• 主波長、峰波長、半波寬、分光照度
• 螢光粉層分佈、重疊分析
• μLED 光學特性與均勻度評估
應用價值
• 精細數據分析 → 幫助製程開發端進行深入了解，快速定位問題。
• 優化生產流程 → 提供針對性的解決方案，降低成本，提高產品品質與效率。
• 支援各種 μLED 應用 → 適用於手機面板、穿戴式裝置、Micro LED 顯示技術等。
技術規格
• 光譜範圍：400-1000nm
• 光學解析度：4nm (FWHM)
• 顯微鏡：Olympus IX73
• 物鏡：Olympus XAPO x20
光纖陣列式高效率量測，適用大範圍 LED 面板
此方案採用多條光纖式設計，相當於 N 台光譜儀同步進行量測，可實現：
• 即時多點分光輝度量測
• LED 鍍層重疊與其他材料特性分析
• μLED 光學特性與均勻度評估
應用價值
• 適合大範圍 LED 面板檢測 → 透過多光纖陣列，快速分析 LED 均勻度。
• 提升量測產能 → 高速擷取數據，提高檢測效率。
• 支援光譜演算法分析 → 進一步提高 LED 產品測試精度。
技術規格
• 光譜範圍：380-800nm
• 影像感測器：sCMOS Sensor
結論
本方案針對 μLED 與 LED 面板量測需求，提供顯微級高光譜精測 (單顆 μLED 分析) 與巨觀級高效量測 (大範圍 LED 面板測試) 兩種解決方案，滿足現代光電產業對光譜特性與均勻度的全面性量測需求，協助企業提升產品質量，優化製程效率，搶占先進顯示技術市場。