晶片檢測
VMU 顯微系統 + OWL 1280，精準解析晶片內部結構
在半導體產業中，微小缺陷或污染顆粒可能嚴重影響晶片的良率與性能。傳統的可見光顯微檢測對於矽基 (Silicon-based) 材料的穿透能力有限，而 短波紅外 (SWIR) 技術則可突破此限制，使晶片內部結構、焊接層、鍵合線 (Wire Bonding) 及矽穿孔 (TSV, Through-Silicon Via) 等細節清晰可見。
本檢測系統採用 VMU 顯微系統搭配 OWL 1280 SWIR 相機，實現高解析度與高穿透力的晶片檢測，確保半導體製程的品質與可靠性。
技術優勢
• 穿透矽材質 – SWIR 可穿透矽晶圓 (Silicon Wafers)，檢測內部結構與缺陷。
• 高解析度成像 – OWL 1280 提供 1280 × 1024 像素，細節呈現更清晰。
• 高靈敏度低噪訊 – InGaAs 感測器具備高靈敏度，適用於微弱訊號檢測。
• 非破壞性檢測 (NDT) – 無須切割或剝離，即可快速獲取內部影。
應用優勢
• 顯微系統：VMU 顯微系統
• 相機型號：OWL 1280 SWIR
• 感測器技術：InGaAs (Indium Gallium Arsenide)
• 波長範圍：900-1700 nm
• 解析度：1280 × 1024 像素
• 應用場景：矽晶圓檢測、TSV 結構分析、封裝與焊接品質監測
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• 晶圓檢測 – 穿透晶圓，檢測內部裂紋與隱藏缺陷。
• IC 封裝檢測 – 分析晶片內部的焊接品質與鍵合線狀態。
• TSV (矽穿孔) 結構分析 – 透視多層晶片堆疊結構，確認連接完整性。
• 雷射刻印與異物檢測 – 檢測晶片表面與內部的微小污染與異常。
透過 VMU 顯微系統 + OWL 1280 SWIR 相機，半導體製程檢測進入更高精度與非破壞性的新時代，讓良率提升，確保卓越品質！